1．成膜方法の分類
【スパッタリングの特長】
- 大面積基板への成膜が可能
- 基板への付着力が強い成膜が可能
- 高融点物質でも成膜が可能
- 膜厚分布が均一
- 高精度な膜質、膜厚制御が可能
2．スパッタリングとは
真空チャンバー内に不活性ガス（主にアルゴン）を導入し、基板とスパッタリングターゲット間に直流高電圧或いは交流高電圧を印加することによってアルゴン等のガスがプラズマ化されます。その際生成したイオンが電界で加速されてターゲットに衝突することでターゲット成分が飛び出し、対向した基板表面に付着します。この原理を利用して、基板にナノオーダーからミクロンオーダーまでの薄膜を形成する方法です。
3．スパッタ薄膜の特長
スパッタを行うプラズマ内の陰極降下は通常400V程度と大きいため、ターゲットから放出されるスパッタ原子は約10eVに相当する大きいエネルギーを持っています。（蒸着法による原子のエネルギー約0.2eVと比べてはるかに大きい）。この高エネルギー原子が基板に堆積して薄膜になるため、緻密で基板との付着力が大きい薄膜ができます。
スパッタリング法は、マグネトロンスパッタ技術の確立によって成膜速度が飛躍的に向上し、インライン型の大型コーターの開発によって、生産性が著しく向上しました。そうした背景から、今後も様々な新しいニーズにスパッタリングの技術が期待されています。